東芝:完成128層3D NAND Flash芯片開發

　　3月7日消息，東芝和合作伙伴西部數據日前宣布，已經完成了128層3D NAND Flash芯片的開發，預計商用名會是BiCS-5。

　　BiCS-5理論容量密度提升約33%，晶片容量為512Gb(64GB)，計劃2020年到2021年期間商用。

　　性能方面，BiCS-5芯片采用單Die四矩陣技術，寫速相較于兩矩陣翻番，達到132MB/s。這個速度怎么理解?就是SLC緩存飽和之后的SSD的真實寫速。

　　有趣的是，128層產品為TLC，而非QLC，原因是后者的產能還很低。