“魚與熊掌兼得”，新型相變存儲器問世：結合 DRAM 和 NAND 優點

　　韓國科技先進研究院(KAIST)近日發表論文，成功研發新型相變存儲器(phase change memory，PCM)，可以靈活切換結晶(低電阻)和非晶體(高電阻)，從而結合 DRAM 和 NAND 的優點。

　　DRAM 速度快但不穩定，這意味著斷電時(例如關閉計算機時)存儲在其中的數據就會消失;而 NAND 閃存即使斷電也能保留數據，但速度明顯慢于 DRAM。圖源：IBM

　　PCM 雖然實現了速度和非易失性的“魚與熊掌兼得”，但制造成本非常昂貴，而且需要大量熱量將相變材料熔化成非晶態，因此生產過程非常耗電。

　　由 Shinhyun Choi 教授帶領的科研團隊設計了新的方法，通過僅收縮直接參與相變過程的組件，創建相變納米絲(phase-changeable nano filament)。

　　與使用昂貴的光刻工具制造的傳統相變存儲器相比，這種新穎的方法將耗電量降低至 15 分之一，而且制造成本也低得多。

　　新型相變存儲器保留了傳統存儲器的許多特性，如速度快、ON / OFF 比大、變化小、多級存儲特性等。

　　Choi 表示，他們預計研究結果將成為未來電子工程的基礎，并可能應用于高密度 3D 垂直存儲器、神經形態計算系統、邊緣處理器和內存計算系統。